防爆摄像机的具有作用是：进行煤矿灾害事故勘查取证，井下和IIC危险环境下摄录生产安全情况、机电设备运行状态、顶底板支护情况和地质特征等，提供高分辨率的数码摄像和图片。也可以用于危险场所题材拍摄，在企业宣传部门都有广泛的应用。那么选用防爆摄像机芯片的一般要素有哪些？目前防爆摄像机灯主要有三种制作方式：一：卤素灯，二：多芯片LED，三：单芯片LED。就这三个制作方式，为大家简单介绍一下他们的原理及不同。
1、卤素灯能耗高，发热量大，是传统市场上应用的红外灯，应用寿命较短，所以很难适宜防爆摄像机配套应用。
2、多芯片LED也有两种QING势，一种是蕴含4到8颗芯片；另外一种是阵列式发光片，含有10到30颗芯片。为什么做多芯片呢？潜在的实际是：红外灯照射间隔不够是因为能量不够，更多的芯片聚拢在一起，当然能量就大，这样的话通常照射间隔更远。这个假如能保障红外灯的光芒的接收率，是对的，但是在接收率不能保障的前提下，再多的红外灯芯片只会造成运行温渡过高而影响寿命，并不能真正改良红外灯照射的间隔。
总体来说，多芯片的红外摄像机在性能方面还是一个普通的卤素灯，但是多芯片LED因其结构上的固有缺陷没有发光焦点，发光光学系统不合理，有用光效率也对照低。比方阵列式LED，电流高达1000mA以上，根底只是一分钱硬币大小，散热就成为一个问题。而咱们做技术的都知道，LED最怕的就是高热啊，热度一高不坏都难呀。同时，多芯片LED的生产要求非常严厉，每颗芯片都不能有性能上的一点差别，否则一颗芯片坏掉的话伤害的是整体芯片LED的整体。总体而言，应用在防爆红外摄像机上面，现有的多芯片技术LED的寿命是远远不够。
3、单芯片LED生产工艺简略，品质容易保障、发热量低、发光光学系统合理，是做防爆红外摄像机红外灯理想的器件，实际上应用寿命可达10万小时以上。所以自然在技术上就偏向单芯片了。但是单芯片的红外灯还是有很多制约的因素，比如说有的LED芯片级别很低，杂质超标；有的生产工艺不过关，有漏电现象；有的超功率应用，额定20mA，却应用50mA以上；有的没有维护电路，或电路设计不合理，这些都会导致单芯片LED红外灯快速坏掉。
